【High threshold voltage p-GaN gate power devices on 200 mm Si】——IPSD2013 摘要:
三星公司的研究人员介绍了一种高阈值电压、低导通电阻和高速的GaN-HEMT功率器件,该器件在栅极堆叠中使用了p-GaN层。文章提出了三个创新点:首先&#…
【Mg activation anneal of the p-GaN body in trench gate MOSFETs and its effect on channel mobility and threshold voltage stability】
文献总结:
本研究探讨了在沟道栅MOSFETs中,镁(Mg)激活退火步骤对p型氮化镓…
本文献《Influence of dislocations on electron energy-loss spectra in gallium nitride》由C. J. Fall等人撰写,发表于2002年。研究团队通过第一性原理计算,探讨了位错对氮化镓(GaN)电子能量损失谱(EEL)…
【APL】Synergistic effect of electrical bias and proton irradiation on the electrical performance of β-Ga2O3 p–n diode
本研究探讨了电偏压和质子辐照对β-Ga2O3 p-n二极管电气性能的协同影响。研究主要关注了这些影响对器件缺陷的作用,并通过实验研究了…
Zeng Q, Chen B, Zhang S, et al. Full-scale ab initio simulations of laser-driven atomistic dynamics[J]. npj Computational Materials, 2023, 9(1): 213.核心研究内容:
本文研究了激光驱动的原子动力学的全尺度从头算模拟。研究的重点是探讨在极端条件下材料…